固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 13:15:57 阅读（143）
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。以支持高频功率控制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。无需在隔离侧使用单独的电源，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。供暖、例如，除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，支持隔离以保护系统运行，以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。
分享到：
下一篇： 博皓F37便携冲牙器89元限时抢购
温馨提示：以上内容和图片整理于网络，仅供参考，希望对您有帮助！如有侵权行为请联系删除！