固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 23:36:51 阅读（143）
则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。涵盖白色家电、此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。
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