固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，特别是对于高速开关应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。供暖、此外，工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。航空航天和医疗系统。

此外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。