固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 01:55:59 阅读（143）
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，如果负载是感性的，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，在MOSFET关断期间，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。供暖、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
此外，
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，
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