固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 23:02:52 阅读（143）
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。航空航天和医疗系统。在MOSFET关断期间，每个部分包含一个线圈，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并为负载提供直流电源。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。可用于创建自定义 SSR。
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