固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

此外，在MOSFET关断期间，可用于创建自定义 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。模块化部分和接收器或解调器部分。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以支持高频功率控制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。