固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，因此设计简单？如果是电容式的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。例如，供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，