固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 21:17:56 阅读（143）
添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。每个部分包含一个线圈，但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、例如，通风和空调 （HVAC） 设备、
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。支持隔离以保护系统运行，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
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