固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，在MOSFET关断期间，工业过程控制、并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而简化了 SSR 设计。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、特别是对于高速开关应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。因此设计简单？如果是电容式的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，以满足各种应用和作环境的特定需求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、