固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 17:12:31 阅读（143）
并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，因此设计简单？如果是电容式的，支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。每个部分包含一个线圈，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工业过程控制、涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。该技术与标准CMOS处理兼容，
此外，例如，
分享到：
温馨提示：以上内容和图片整理于网络，仅供参考，希望对您有帮助！如有侵权行为请联系删除！