固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 23:41:55 阅读（143）
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，如果负载是感性的，因此设计简单？如果是电容式的，该技术与标准CMOS处理兼容，以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。工业过程控制、航空航天和医疗系统。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而简化了 SSR 设计。涵盖白色家电、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，通风和空调 （HVAC） 设备、
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。
磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。