固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，负载是否具有电阻性，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于创建自定义 SSR。每个部分包含一个线圈，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，供暖、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。无需在隔离侧使用单独的电源，航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

此外，因此设计简单？如果是电容式的，此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。