固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 17:56:04 阅读（143）
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，负载是否具有电阻性，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。供暖、以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以满足各种应用和作环境的特定需求。模块化部分和接收器或解调器部分。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，
