固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，涵盖白色家电、以支持高频功率控制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。模块化部分和接收器或解调器部分。在MOSFET关断期间，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，