固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要散热和足够的气流。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，因此设计简单？如果是电容式的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。支持隔离以保护系统运行，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。