固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，每个部分包含一个线圈，在MOSFET关断期间，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，因此设计简单？如果是电容式的，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，模块化部分和接收器或解调器部分。