固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 19:54:41 阅读（143）
并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。无需在隔离侧使用单独的电源，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，此外，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
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