固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 14:29:02 阅读（143）
并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、供暖、
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。此外，
此外，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，该技术与标准CMOS处理兼容，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而简化了 SSR 设计。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，涵盖白色家电、
在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
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