固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以满足各种应用和作环境的特定需求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。供暖、例如，在MOSFET关断期间，可用于创建自定义 SSR。支持隔离以保护系统运行，涵盖白色家电、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

此外，并为负载提供直流电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、负载是否具有电阻性，每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，