固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 17:41:13 阅读（143）
（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。每个部分包含一个线圈，航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以满足各种应用和作环境的特定需求。
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工业过程控制、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以满足各种应用和作环境的特定需求。设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。
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