固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 17:22:02 阅读（143）
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，
（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
此外，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。通风和空调 （HVAC） 设备、负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。支持隔离以保护系统运行，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。
