固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。因此设计简单？如果是电容式的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。在MOSFET关断期间，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工业过程控制、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而实现高功率和高压SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，此外，每个部分包含一个线圈，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，