固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以支持高频功率控制。以满足各种应用和作环境的特定需求。该技术与标准CMOS处理兼容，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，模块化部分和接收器或解调器部分。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，