固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。特别是对于高速开关应用。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，因此设计简单？如果是电容式的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、以支持高频功率控制。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。航空航天和医疗系统。以及工业和军事应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

此外，涵盖白色家电、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要散热和足够的气流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。如果负载是感性的，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如，并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。该技术与标准CMOS处理兼容，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。