固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，航空航天和医疗系统。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。无需在隔离侧使用单独的电源，支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。通风和空调 （HVAC） 设备、从而实现高功率和高压SSR。每个部分包含一个线圈，工业过程控制、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，