固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 16:32:59 阅读（143）
是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以创建定制的 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以支持高频功率控制。支持隔离以保护系统运行，
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