固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 04:54:57 阅读（143）
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。此外，涵盖白色家电、
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。工业过程控制、
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，以创建定制的 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 （HVAC） 设备、以及工业和军事应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，每个部分包含一个线圈，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。在MOSFET关断期间，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于创建自定义 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，
