固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。特别是对于高速开关应用。可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。无需在隔离侧使用单独的电源，以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。航空航天和医疗系统。例如，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。在MOSFET关断期间，