固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 14:57:33 阅读（143）
从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。航空航天和医疗系统。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。航空航天和医疗系统。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以满足各种应用和作环境的特定需求。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。
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