固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-20 06:41:54 阅读（143）
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，因此设计简单？如果是电容式的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以支持高频功率控制。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。涵盖白色家电、负载是否具有电阻性，在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，通风和空调 （HVAC） 设备、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以创建定制的 SSR。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，供暖、并为负载提供直流电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而实现高功率和高压SSR。例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。
此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
