固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 12:58:36 阅读（143）
这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。例如，从而简化了 SSR 设计。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，无需在隔离侧使用单独的电源，SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。
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