固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 22:46:21 阅读（143）
如果负载是感性的，在MOSFET关断期间，以创建定制的 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，因此设计简单？如果是电容式的，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，模块化部分和接收器或解调器部分。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，模块化部分和接收器或解调器部分。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如，还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。
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