固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 23:13:13 阅读（143）
这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，如果负载是感性的，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。在MOSFET关断期间，并为负载提供直流电源。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。
分享到：
温馨提示：以上内容和图片整理于网络，仅供参考，希望对您有帮助！如有侵权行为请联系删除！