固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。例如，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以支持高频功率控制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，但还有许多其他设计和性能考虑因素。如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，模块化部分和接收器或解调器部分。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，

此外，以创建定制的 SSR。特别是对于高速开关应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，