固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于创建自定义 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，并为负载提供直流电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以支持高频功率控制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，特别是对于高速开关应用。供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。

涵盖白色家电、因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，