固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，以及工业和军事应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。无需在隔离侧使用单独的电源，该技术与标准CMOS处理兼容，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。特别是对于高速开关应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。模块化部分和接收器或解调器部分。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

负载是否具有电阻性，工业过程控制、供暖、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以满足各种应用和作环境的特定需求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。