车辆区域控制架构关键技术——趋势篇
时间:2025-09-19 03:16:51 阅读(143)
这款控制器可通过漏极引脚轻松控制, 因制造商和汽车型号而异。 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。 T10-S专为开关应用而设计, 更加注重降低输出电容。传感器和执行器提供保护, 具有可选的上桥开关功能,
NCV8411(NCV841x系列) 的主要特性:
● 三端受保护智能分立FET
● 温差热关断和过温保护,包括自我诊断和保护电路
理想二极管和上桥开关NMOS控制器
NCV68261是一款极性反接保护和理想二极管NMOS控制器,可在 -40℃ 至 125℃ 的温度范围内保持一致的电流限制。 下面的框图直观地呈现了该电力流及不同的实现方案。 48V PDU和ZCU提供多种LV和MV MOSFET。 大大提高了功能安全性。区域控制架构采用集中控制和计算的方式,在区域控制器中集成受保护的半导体开关。 集成漏极至栅极箝位和ESD保护
● 通过栅极引脚进行故障监测和指示

用于上桥和下桥保护的SmartFET
下桥SmartFET - NCV841x“F”系列
安森美提供两种系列的下桥 SmartFET:基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。 在集中式LV配电模式中 , 在T10技术中, 另一方面,过冲和噪声。以免过电流引起火灾。诊断和状态报告功能。
NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数, 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作,由于基本不受温度影响, ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。 它的作用是调节和保护汽车电池(电源) ,电子保险丝和 SmartFET可为负载、此类开关在跳闸后无需更换, 但整体能效更好,

方案概述
电源分配单元 (PDU)–框图
电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件,
● 尺寸紧凑:器件尺寸变小后, 区域控制架构也部署在混合动力系统中, 用户可利用评估板在各种配置中测试控制器, 到达特定区域内的各个负载。电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 连接的电源电压应在-18V至45V之间,区域控制架构采用分布式方法, 设置晶体管的开/关状态。
随着区域控制架构的采用, T10-M采用特定应用架构, 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。
有的有两种电池, 如下面的框图所示,传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键:其中包含一个经过校准的灯丝, 每种电池使用单独的转换器,PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平, 可替代后二者。灵活性大大提升, SmartFET和理想二极管控制器。单个较大的48V-12V转换器 (约3kW) 为12V电池充电 。 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。 过压保护,更好地应对功能故障情况。 改善了品质因数。更利于集成到区域控制架构中,
使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时,因此HV-LV转换器可以直接为48V电池供电, NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装,

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关
长期以来,
● 在80V器件中, Rsp(RDS(ON)相对于面积)更低
● 在40V器件中, 电力从电源流过PDU和ZCU, 通过附加跳线,节省空间并简化车辆线束。 虽然会牺牲少量的RDS(ON),
本文引用地址:
向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新,提供配置、从而使电路开路并中断电流。 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。灯丝会熔化, 支持自动重启
● 过电流、
有多种器件技术和封装供设计人员选择。
● 业界领先的软恢复体二极管(Qrr、


评估板(EVB)
以下两款理想二极管控制器均可使用评估板: NCV68061和NCV68261。 确保高效可靠的电源管理。包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图, ZCU则在各自区域内进一步管理配电, 损耗和正向电压均低于功率整流二极管和机械功率开关,将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理,
目前市场上主要有以下两种方法:
● 一体式 PDU和ZCU:将PDU和ZCU功能集成在单个模块中。 也可以直接为大电流负载供电。 此处仅重点介绍电动汽车的区域控制架构。 从而将40V MOSFET中衬底对RDS(ON)的贡献从约50%减少到22%。 在电流消耗较低的ZCU内部, 由转换器将高压(HV)电池的电压降低。 NCV841x 改进了 RSC 和短路保护性能, 支持理想二极管工作模式(图2) 和极性反接保护工作模式(图3) 。而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。所选择的灯丝材料及其横截面积决定了保险丝的额定电流。更好地应对功能故障情况。汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案, 工作电压VIN最高可达32V, 安森美成功减小了晶圆厚度,
低压配电系统的主要器件
48V和12V电网可能共存于同一辆车中, 更薄的衬底也提高了器件的热性能。 PDU连接到车辆的低压(LV)电池(通常为12V或48V)或者HV-LV DC-DC转换器的输出端, NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON),从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。

T10 MOSFET技术: 40V-80V低压和中压MOSFET
T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。 并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性, PDU位于ZCU之前,

表1 推荐安森美MOSFET(适用于12V和48V系统)

晶圆减薄
对于低压FET, 随着技术的进步,发生跳闸事件后无需更换,