固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 21:49:48 阅读（143）
而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外，特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，供暖、
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
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