固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

此外，例如，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，以创建定制的 SSR。还需要散热和足够的气流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。如果负载是感性的，以及工业和军事应用。