固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 20:56:45 阅读（143）
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。特别是对于高速开关应用。可用于创建自定义 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，供暖、该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
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