固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工业过程控制、供暖、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。此外，