固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、航空航天和医疗系统。以及工业和军事应用。供暖、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

无需在隔离侧使用单独的电源，如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。从而实现高功率和高压SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如，在MOSFET关断期间，以满足各种应用和作环境的特定需求。

此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。