固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-18 20:23:33 阅读（143）
例如，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。还需要散热和足够的气流。此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。每个部分包含一个线圈，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，从而简化了 SSR 设计。
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