固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，航空航天和医疗系统。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，以支持高频功率控制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，支持隔离以保护系统运行，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。