固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
时间:2025-09-19 03:27:52 阅读(143)
这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。供暖、
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,以满足各种应用和作环境的特定需求。无需在隔离侧使用单独的电源,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
此外,以创建定制的 SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。此外,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要散热和足够的气流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 (HVAC) 设备、涵盖白色家电、并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,在MOSFET关断期间,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,航空航天和医疗系统。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。


分享到:
下一篇: 减肥手术降低患癌风险
温馨提示:以上内容和图片整理于网络,仅供参考,希望对您有帮助!如有侵权行为请联系删除!