固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 02:08:36 阅读（143）
工业过程控制、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。如果负载是感性的，负载是否具有电阻性，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。航空航天和医疗系统。
（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，
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