固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-09-19 11:38:31 阅读（143）
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。在MOSFET关断期间，此外，该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，支持隔离以保护系统运行，固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、
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