固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、例如，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以满足各种应用和作环境的特定需求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以创建定制的 SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。在MOSFET关断期间，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。无需在隔离侧使用单独的电源，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，