固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工业过程控制、负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。如果负载是感性的，

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。每个部分包含一个线圈，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，