固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，因此设计简单？如果是电容式的，

此外，并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，无需在隔离侧使用单独的电源，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。例如，供暖、涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以及工业和军事应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，特别是对于高速开关应用。该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，